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本发明的目的在于提供一种在超级结构造中不仅在单元区域、在终端区域中也能够良好地确保耐压的半导体装置。基于本发明的半导体装置是具有单元区域(CL)和终端区域(ET)的半导体装置(1)，具备：第一导电类型的漂移区域(3)和第二导电类型的柱形区域...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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