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一种沟槽式功率半导体元件的制造方法，以形成沟槽内具有遮蔽电极以及栅极电极的沟槽式功率半导体元件。沟槽式功率半导体元件的制造方法中至少包括形成沟槽栅极结构于外延层的沟槽内。沟槽栅极结构具有遮蔽电极、位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极与栅...
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