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本发明公开了一种增强图像传感器近红外性能的像素单元结构，包括：硅衬底；设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极；设于硅衬底正面下方的层间介质层；设于层间介质层中的金属互连层和金属反射层，金属反射层对应位于光电二极管的下方；金属反射层具有面向光...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司授权不得商用。