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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成包括PMOS区的基底，基底上形成有栅极结构、PMOS区栅极结构两侧基底内形成有P型掺杂外延层、P型掺杂外延层表面形成有硅层、基底上形成有覆盖栅极结构顶部的层间介质层；在PMOS区栅极结构两侧层间介质...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。