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本发明公开了一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法，其中，所述宽禁带半导体器件的材料为III‑V族宽禁带半导体材料，该材料由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层和合金势垒层，所述方法包括以下步骤：步骤一，沉积钝化层；步骤二，涂覆光刻胶，并...该专利属于新加坡国立大学;苏州工业园区新国大研究院;西交利物浦大学所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡国立大学;苏州工业园区新国大研究院;西交利物浦大学授权不得商用。