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文档序号:20113892
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本发明公开一种图案化方法,其利用存储阵列区内及周边区内具有不同的图案密度,所产生的蚀刻负载效应,而能够在各向异性蚀刻存储阵列区内的第一硬掩模层时,周边区内的第一硬掩模层不需覆盖住。...
该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。
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