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本发明公开了一种硅晶抛光片缺陷的检测方法，所述检测方法包括：在暗室环境中，将聚光光源垂直照射在预先清洗的硅晶抛光片上，从而检测硅晶抛光片缺陷，其中聚光光源的照度高于40万勒；所述检测方法简单易行，且不需要昂贵的专业设备，大大降低了生产成本；...该专利属于上海超硅半导体有限公司;重庆超硅半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海超硅半导体有限公司;重庆超硅半导体有限公司授权不得商用。