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一种利用反应等离子沉积技术生长宽光谱MGZO‑TCO薄膜的方法及其应用，属于光电子器件领域。以组分纯度为99.99％的MgO和Ga2O3掺杂的ZnO靶材即ZnO:Ga2O3:MgO陶瓷靶作为靶材原料，溅射气体为Ar气，镀膜过程中引入少量H2...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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