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本发明公开一种3D立方体框架结构三元金属氧化物半导体偏锡酸锌的制备方法，主要步骤为首先制成0.2M SnCl4无水乙醇溶液和0.1M Zn(NO3)2水溶液；然后在上述水溶液中加入六甲基四胺C6H12N4，磁力搅拌，制成Zn(NO3)2‑C...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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