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本发明提出一种B4C纳米带的制备方法，包括步骤1、混料：将聚氨硼烷和聚碳硅烷均匀分散到四氢呋喃中，得到混合物；步骤2、干燥：将步骤1所得的混合物进行烘干，烘干温度为50℃~60℃；步骤3、研磨：将干燥后的混合物研磨成前驱体粉末；步骤4、烧结...该专利属于哈尔滨工业大学（威海）;威海云山科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨工业大学（威海）;威海云山科技有限公司授权不得商用。