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本发明实施例公开了一种场效应晶体管结构及其制作方法，该场效应晶体管结构包括：底栅电极；底栅介质层；纳米条带沟道层，所述纳米条带沟道层是由多个平行间隔开的双层石墨烯纳米条带构成，所述纳米条带沟道层覆盖于所述底栅介质层的上表面，且与所述底栅介质...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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