温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种横向MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过挖槽填充将传统横向MOSFET器件结构中接触区及其下方部分区域替换为多晶硅区或肖特基接触金属区，用以形成具有整流特性的异质结或者肖特基接触，由于异质结或者肖特基接触为多子器件且...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。