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本发明公开了一种半导体超材料波片及其制备方法。本发明提供的半导体超材料波片由多层本征半导体层和多层掺杂半导体层交叉堆叠构成；本征半导体层和掺杂半导体层在垂直于层面方向的厚度均小于共振波长的四分之一。其中，掺杂半导体层内部的自由载流子为电磁共...
该专利属于湖南理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过湖南理工学院授权不得商用。

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