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本实用新型公开了一种高效率垂直结构的深紫外发光二极管外延结构。传统InGaN材料蓝光LED的激光剥离是采用波长248nm准分子激光穿过蓝宝石衬底,分解GaN材料,但对UVC LED而言,因为底层材料AlN禁带宽度为6.2eV,无法吸收波长2...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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