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本揭示提供了有机半导体器件的制备方法。所述方法包括提供衬底，在衬底上形成牺牲层，在牺牲层上形成图案化的有机半导体层，在图案化的有机半导体层上形成绝缘层，在绝缘层上形成栅电极，从图案化的有机半导体层上分离牺牲层及衬底，以及在图案化的有机半导体...
该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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