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本发明提供一种垂直型功率半导体器件及其制造方法，以达到能够提升夹断稳定性、降低器件比导通电阻、避免热载流子注入以及节省工艺成本的目的，本发明通过超结结构及介质岛结构，在保证耗尽型功率器件耐压的同时降低器件的导通损耗，提升器件的开关速度，降低...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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