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本发明涉及一种温度传感器的制备方法,包括以下步骤:使用氧化石墨烯、聚吡咯合成复合氧化石墨烯,作为传感器的核心芯片部分,再通过物理和化学交联法将聚二甲基硅氧烷、甲叉丙烯酰胺合成高分子聚合物,作为传感器的外层绝缘部分,最后通过嵌入铜导线制备出氧...该专利属于放生(重庆)科技有限公司;杨陈所有,仅供学习研究参考,未经过放生(重庆)科技有限公司;杨陈授权不得商用。
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本发明涉及一种温度传感器的制备方法,包括以下步骤:使用氧化石墨烯、聚吡咯合成复合氧化石墨烯,作为传感器的核心芯片部分,再通过物理和化学交联法将聚二甲基硅氧烷、甲叉丙烯酰胺合成高分子聚合物,作为传感器的外层绝缘部分,最后通过嵌入铜导线制备出氧...