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一种异质结构半导体器件包括：第一有源区和第二有源区，每个有源区彼此电隔离，并且每个有源区包括第一有源层和第二有源层，其中一个电荷被布置在第一有源层和第二有源层之间。一个功率晶体管被形成在所述第一有源区中，并且一个集成栅极电阻器被形成在所述第...
该专利属于电力集成公司所有，仅供学习研究参考，未经过电力集成公司授权不得商用。

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