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本发明公开了一种内嵌SiC‑GTO器件正向阻断特性监测与诊断方法，该方法在高温反偏试验的基础上，针对SiC‑GTO功率器件提出以AG结电学特性作为器件阻断电压的间接表征参数，并基于所设计监测采样电路和相关向量机算法对器件的正向阻断性能进行评...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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