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本发明公开CVD石墨烯的无污染转移工艺获得氧化石墨烯与石墨烯复合结构的气敏薄膜传感器及方法，其过程为：先在具有金属衬底的CVD石墨烯的石墨烯表面旋涂氧化石墨烯分散液，得到结构A；再将结构A在40‑80℃烘1‑30分钟；再去除结构A的金属衬底...
该专利属于西安交通大学;广东顺德西安交通大学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安交通大学;广东顺德西安交通大学研究院授权不得商用。

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