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本发明公开了一种高、低温环境中材料二次电子特性参数的测量装置和方法，测量装置中二次电子探测器设置在真空室内，包括由外向内依次设置、均大于等于3/4球体的球壳收集极、球壳栅极和球壳接地极，且相互之间绝缘；二次电子探测器内还设置有样品台及其温度...该专利属于中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院高能物理研究所;东莞中子科学中心授权不得商用。