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本发明的目的是提供一种多晶材料单个晶粒应力状态的TKD确定方法，其特征在于：首先确定要研究的单个晶粒，确定该晶粒以及周围几个晶粒的位错密度是否有数量级的差别，如果有数量级的差别，即可进一步分析，确定晶粒内部开动的滑移系；然后采用透射菊池衍射...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

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