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本发明所述一种基于黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结忆阻器，其基本结构由下至上依次包括衬底、底电极层、阻变功能层、顶电极层。其中阻变功能层为黑磷和黑磷氧化物的范德华异质结，且该范德华异质结中可掺入金属离子。本发明具有如下优点：本发明利用黑磷容易...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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