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本发明公开的一种基于自旋塞贝克效应的非制冷红外传感器装置包括由下至上依次设置的硅基底、二氧化硅衬底、敏感材料层、红外吸收层、顺磁材料层和电极层。硅基底中心位置设置隔热空腔；二氧化硅衬底三个侧面设置隔热缝隙；红外吸收层面积小于敏感材料层面积，...
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