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本发明公开了PLD结合MOCVD法在Si衬底上生长AlGaN基的紫外LED结构及制备方法，紫外LED结构包括Si(111)衬底、在所述Si(111)衬底上自下而上依次生长的步进AlGaN缓冲层、Si掺杂的n型AlGaN层、Al0.40Ga0...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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