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本发明公开了一种Si衬底上GaN基紫外LED外延片及其制备方法，该紫外LED外延片包括Si衬底、自下而上依次设置在Si衬底上的GaN缓冲层、非故意掺杂GaN层、n型AlxGa1‑xN层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN超晶格层、In...
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