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本发明提供一种单光子探测器及其制备方法，其中单光子探测器包括光子频率上转换器件和硅单光子雪崩二极管；所述光子频率上转换器件包括近红外探测器、发光二极管和渐变层，所述渐变层位于近红外探测器和发光二极管之间；所述发光二极管的发光侧与所述硅单光子...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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