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本发明涉及一种倒置三结砷化镓太阳电池。包括在砷化镓衬底上依次生长的(Al)GaInP顶电池，GaAs中电池，InGaAs底电池，各个子电池之间通过隧穿结连接。本发明中，中电池与底电池之间，以及底电池之后各生长一组分布式布拉格反射器(DBR)...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。

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