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本发明公开了硅异质结太阳电池及其制备方法。其中，该太阳电池包括：n型晶硅衬底层；轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层，氢化非晶硅缓冲层形成在衬底层的上、下两侧表面上；重掺杂p型氢化非晶硅发射极层，氢化非晶硅发射极层形成在一侧轻掺杂n型氢化非晶硅缓冲层...
该专利属于国家电投集团科学技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过国家电投集团科学技术研究院有限公司授权不得商用。

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