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本申请公开了一种半导体装置、MOS电容器及其制造方法，涉及半导体技术领域。该装置的制造方法包括：提供衬底结构，包括：在衬底上间隔开的第一和第二鳍片；在第一鳍片上的第一伪栅结构，包括第一伪栅电介质层及其上的第一伪栅；在第二鳍片上的第二伪栅结构...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。