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本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括基底、设于基底上方的多晶硅层以及设于多晶硅层上方的第一绝缘层、源/漏极，源/漏极位于第一绝缘层上方、穿过第一绝缘层并延伸至多晶硅层；第一绝缘层包括层叠设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层，第一子绝缘层相...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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