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本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种集成肖特基二极管的碳化硅槽栅MOS器件。传统碳化硅MOS器件的体二极管由于导通压降大，且为双极器件，因而在反向恢复时的损耗较大。本发明在碳化硅槽栅MOS的槽栅之间集成了一个肖特基二极管，器件在反向恢...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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