温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：半导体层；栅极和源极，形成在所述半导体层上方；半导体区域，形成在栅极和源极之间的所述半导体层内，且所述半导体区域具有与所述栅极和/或所述源极交叠的部分；其中，...该专利属于全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司所有，仅供学习研究参考，未经过全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网山东省电力公司授权不得商用。