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一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部；形成初始掺杂区和介质层，初始掺杂区分别位于所述若干鳍部中，初始掺杂区包括底区域和位于底区域上的顶区域，介质层覆盖鳍部、初始掺杂区和衬底；在介质层中形成贯穿介质层的沟...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。