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本发明公开了一种含有混合电极的氮化镓HEMT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明通过在原有漏极引入P型氮化镓，使该器件在正向导通或者开通瞬态过程中有空穴注入二维电子气及其周边区域，使得被深能级缺陷捕获的电子可以被快速中和，从而恢复器件二...
该专利属于派恩杰半导体（杭州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过派恩杰半导体（杭州）有限公司授权不得商用。

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