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本本发明公开了一种超级结器件的制造方法，原胞区和终端区的结构同时形成且包括步骤：提供表面形成有第一外延层的半导体衬底。光刻同时定义出原胞区和终端区的沟槽的形成区域并进行第一次刻蚀形成沟槽；设置终端区的第二沟槽的宽度和间隔，使后续氧化工艺将第...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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