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本发明提出一种上桥功率元件及其制造方法。其中该上桥功率元件包含：基板、外延层、高压阱区、体区、栅极、源极、漏极、第一掩埋区以及第二掩埋区。体区于沟道方向上，与高压阱区间具有PN结。第一掩埋区形成于外延层中，具有第一导电型，且于沟道方向上，第...
该专利属于立锜科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过立锜科技股份有限公司授权不得商用。

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