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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括闪存区域，在所述闪存区域的半导体衬底上形成浮栅材料层和位于所述浮栅材料层之上的隔离材料层；形成覆盖所述半导体衬底和所述隔离材料层的栅极材料层；...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。