下载一种半导体器件及其制作方法、电子装置的技术资料

文档序号:20008492

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,该半导体器件包括依次设置的第一金属盘、顶部通孔、第二金属盘、焊盘、第一钝化层和第二钝化层,所述第二钝化层形成在所述第一钝化层之上,并且具有暴露所述焊盘的第二开口,其中,所述顶部通孔包括第一顶部...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

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