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本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种AlGaN/GaN HEMT器件的外延层转移方法，外延层自下而上包括牺牲层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层、帽层、钝化层和保护层，牺牲层制备在衬底层上方；外延层转移方法包括：根据光刻版图对所述外延层的...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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