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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体制备方法，包括如下步骤：步骤S1：提供具有介电层的衬底，在介电层上形成开口；步骤S2：在介电层上沉积第一金属膜层，第一金属膜层的金属填满开口；步骤S3：在第一金属膜层上沉积第二金属膜层，该第二金属膜...
该专利属于德淮半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德淮半导体有限公司授权不得商用。

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