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本发明公开了一种接触孔，包括：形成于硅衬底表面的层间膜；在层间膜中形成有接触孔的开口；在开口的侧面和底部表面形成有阻挡层；在开口中完全填充有金属填充层组成接触孔；金属填充层中包括金属铝；阻挡层由多层叠加层单元叠加而成，叠加层单元由一层Ti层...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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