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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供第一基底部；在所述第一基底部上形成牺牲层；在部分所述牺牲层上形成鳍部，所述鳍部的材料与牺牲层的材料不同；形成所述鳍部之后，采用至少两次替位工艺去除牺牲层并形成介质结构，使介质结构替代所述牺牲层。...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。