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本发明公开了一种芯片内两金属层间通孔连接的辨别方法，在第二金属层时，初步判断是否存在通孔虚假连接的状态，确定多处通孔的位置，进行FIB的纵切确认，若确认芯片在制作工艺中使用了虚假通孔后，运用IBE对第二金属层的表面进行轻微蚀刻，将通孔在高度...
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