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一种封装结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供第一晶圆;提供载板,载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通...该专利属于苏州通富超威半导体有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过苏州通富超威半导体有限公司授权不得商用。
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一种封装结构及其形成方法,其中,形成方法包括:提供第一晶圆;提供载板,载板内具有空腔,所述载板包括包围空腔的第一腔壁和第二腔壁,第一腔壁中具有贯穿第一腔壁的第一开口,第二腔壁中具有贯穿第二腔壁的第二开口,且所述第一开口和第二开口均与空腔连通...