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本发明公开了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：在基板上依次制作栅极、栅极绝缘层、有源层；在有源层上制作蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层及有源层上沉积欧姆接触层薄膜，及在欧姆接触层薄膜上沉积源漏极导电膜；处理源漏极导电膜形成图形化的源极、漏极，通过干法...
该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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