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本发明公开了一种全包围栅极鳍式场效应晶体管的制作方法，包括：在半导体衬底上依次淀积金属栅薄膜和高K金属薄膜；在金属栅薄膜和高K金属薄膜上淀积二氧化硅薄膜并图形化，形成鳍的图形；以氢气为还原剂，将二氧化硅还原成硅；第一次图形化高K金属薄膜和金...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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