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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在第一栅极结构的侧壁、以及第二区上形成第一侧墙膜；在第一区和第二区的第一侧墙膜表面、以及隔离结构上形成第一平坦层，第一区第一平坦层的整个顶部表面低于第一鳍部的顶部表面；在第一平坦层表面、暴露出的第一侧墙...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。