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一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有鳍部，鳍部包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区，鳍部第二区内具有开口；在基底上、鳍部侧壁和开口内具有初始隔离层；在初始隔离层和初始隔离层两侧的鳍部部分第一区上形成保护结构，...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。