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本发明公开了一种硬掩膜结构，包含有下层热氧化层、氮化硅层以及上层正硅酸乙酯；所述硬掩膜还包含有一硅玻璃层，位于氮化硅层与上层正硅酸乙酯之间，所述的硅玻璃层是未掺杂的硅玻璃层。本发明所述的硬掩膜结构，通过引入一层硅玻璃层，位于氮化硅层与上层正...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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